| Files | Size | Format | View |
|---|---|---|---|
|
There are no files associated with this item. |
|||
| URN: | http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907102834 |
| Title: | GaAs / AlGaAs - rakenteiden kuivaetsaus |
| Author: | Lindfors, Jukka |
| Publication type: | Diplomityö |
| Issue date: | 2000-12-13 |
| University: | Tampereen teknillinen korkeakoulu |
| Faculty: | Sähkötekniikan osasto |
| Department: | Fysiikan laitos |
| Abstract: | Tässä työssä on etsattu 880 ja 670 nm:n aallonpituuksille suunniteltuja pintaemittoivia virtuaalikaviteettilaser-rakenteita. Käytetty etsausmenetelmä oli reaktiivinen ionietsaus, ja etsauskaasuna oli piitetrakloridi. Työssä tutkittiin kaasuvuon, paineen ja tehon vaikutusta etsausnopeuteen ja -profiilin sekä pinnan tasaisuuteen. Lisäksi tutkittiin argonin vaikutusta prosessiin ja etsauksen selektiivisyyttä galliumarsenidin ja fosfidien välillä. /Kir10 |