GaAs / AlGaAs - rakenteiden kuivaetsaus
Näytä kaikki kuvailutiedot
Tiedostot
|
Tähän julkaisuun ei ole liitetty tiedostoja.
|
|
URN:
|
http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907102834
|
|
Nimeke:
|
GaAs / AlGaAs - rakenteiden kuivaetsaus |
|
Tekijä:
|
Lindfors, Jukka |
|
Julkaisun tyyppi:
|
Diplomityö |
|
Julkaisuaika:
|
2000-12-13 |
|
Yliopisto:
|
Tampereen teknillinen korkeakoulu |
|
Tiedekunta:
|
Sähkötekniikan osasto |
|
Laitos:
|
Fysiikan laitos |
|
Tiivistelmä:
|
Tässä työssä on etsattu 880 ja 670 nm:n aallonpituuksille suunniteltuja pintaemittoivia virtuaalikaviteettilaser-rakenteita. Käytetty etsausmenetelmä oli reaktiivinen ionietsaus, ja etsauskaasuna oli piitetrakloridi. Työssä tutkittiin kaasuvuon, paineen ja tehon vaikutusta etsausnopeuteen ja -profiilin sekä pinnan tasaisuuteen. Lisäksi tutkittiin argonin vaikutusta prosessiin ja etsauksen selektiivisyyttä galliumarsenidin ja fosfidien välillä. /Kir10 |
Viite kuuluu kokoelmiin:
Näytä kaikki kuvailutiedot