|
Abstract:
|
Käytettävän transistorimallin valintaan ja malliparametrien optimointiin on kiinnitettävä riittävästi huomiota, jotta piirisimulaattorin antamat tulokset integroitujen piirien suunnittelussa olisivat luotettavia. Yleisimmin käytetyissä MOS-transistorimalleissa on puutteita, mm. lyhytkanavailmiöiden ja subthreshold-alueen mallinnuksessa, konduktanssien jatkuvuudessa ja varauksen säilyvyydessä. BSIM on suhteellisen yksinkertainen puoliempiirinen MOS-transistorimalli, jossa näitä epäkohtia on yritetty ratkaista. Tässä työssä on tutkittu BSIM-mallin käyttäytymistä ja optimoitu malliparametrit eräälle CMOS-prosessille käyttäen apuna HSPICE-piirisimulaattoriin sisältyvää optimoijaa. Käytettyjä menetelmiä, mittaustietojen käsittelyä ja optimoinnin tuloksia on selitetty yksityiskohtaisesti. Koko kanavapituusalueella käytettiin samaa parametrilistaa, jossa pituusriippuvuuskertoimet olivat mukana. Virtasovituksen lisäksi huomioitiin myös kanavakonduktanssin sovitus. Saatujen parametrien ja BSIM-mallin käyttökelpoisuutta tutkittiin vertailusimuloinneilla. /Kir10 |