Computer simulation study of surfaces and interface

Abstract

AB3:Tutkimuksen ensimmäinen osa käsittää ohutkalvojen kasvun tietokonesimuloinnin. Kiinteän aineen ja höyryn rajapinnan kuvaamiseen käytetty malli kuuluu ns. solid-on-solid- (SOS) -mallien luokkaan. Toinen osa on kiinteässä yhteydessä ensimmäiseen osaan. Perusoletuksena on jo muodostunut Stranski-Krastanov -kasvumoodin aikaansaama pinta, joka riittävän alhaisessa paineessa haihtuu, jolloin adsorptioprosessi voidaan approksimoiden kokonaan unohtaa. Täten samaa simulointimallia voidaan käyttää haihtuvan nestepisaran morfologian muutosten kuvaamiseen haihtumisen aikana. Tutkimuksen kolmas osa käsittää pinnan kasvun universaaliset yksityiskohdat, neljännessä osassa tarkastellaan vertikaalisessa suunnassa pienen viskoosin nestepisaran leviämistä kiinteän substraatin pinnalla.