Puolijohdelaserin itsekohdistuva valmistusmenetelmä

Abstract

Tietoliikennetekniikan painopiste on siirtynyt elektroniikasta optoelektroniikkaan. Datasiirrossa valo yhä useammin korvaaa sähköiset signaalit. Optisten tietoliikenneyhteyksien kehittämisen kannalta on ensiarvoisen tärkeää kehittää tarkoitukseen soveltuvia valonlähteitä. TTKK:n puolijohdefysiikan laboratoriossa on keskitytty tietoliikennetekniikassa tarvittavien optoelektronisten komponenttien tutkimiseen. Tässä työssä on perehdytty puolijohdelaserin prosessointiin MBE- ja CBE-menetelmillä kasvatetuista ohutkalvorakenteista. Tavoitteena oli löytää aiempaa parempi prosessointimenetelmä harjannelaserin valmistamiseksi. Työssä on esitelty laserin valmistukseen liittyvä puolijohdefysiikka. Mallinnus on tärkeä osa puolijohdelaserin valmistusta. Tietokonesimulaatioilla voidaan laserrakenne optimoida jo suunnitteluvaihessa. Tässä työssä on perehdytty laserin aaltojohdeominaisuuksien mallintamiseen SFD-menetelmällä. Työssä on perehdytty polyimidekalvojen fysikaalisiin ja kemiallisiin ominaisuuksiin sekä käyttäytymiseen harjannelaserin valmistuksessa. Polyimide-eristekerrokseen perustuva puolijohdelaserin itsekohdistuva valmistusprosessi on esitelty. Menetelmää on verrattu vanhaan SiO2 -eristekerrokseen perustuvaan prosessiin. /Kir11