Kirjasto - Tampereen teknillinen yliopisto

Modelling og GaN based semiconductor lasers

Näytä kaikki kuvailutiedot

Tiedostot

Tiedosto(t) Koko Formaatti Näytä

Tähän julkaisuun ei ole liitetty tiedostoja.

URN: http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907104908
Nimeke: Modelling og GaN based semiconductor lasers
Tekijä: Nadir, Mohammed
Julkaisun tyyppi: Lisensiaatintutkimus
Julkaisuaika: 1998-12-09
Yliopisto: Tampereen teknillinen korkeakoulu
Tiedekunta: Sähkötekniikan osasto
Laitos: Fysiikan laitos
Tiivistelmä: Due to advancement in realizing blue lasers, especially the unique effort of Nakamura during the last years, it became interesting to model the lasers based on GaN. The characterization of semiconductor lasers has been analysed using the software of Crosslight Inc. Along with a brief description of semiconductor lasers and their recently developed potential structures, computer-aided mathematical modelling is hereby demonstrated.AB3:Tutkimuksen tavoitteena oli selvittää LASTIP / PICS3D(tm)-ohjelmiston soveltuvuus laserdiodien laskennallisten ominaisuuksien määrittämiseen ja simuloida tätä ohjelmaa käyttäen GaN -pohjaisia lasereita. Työssä on laskettu GaN/AlGaN/InGaN -kvanttikaivorakenteiden karakteristisia suureita.


Viite kuuluu kokoelmiin:

Näytä kaikki kuvailutiedot

Hae DPubista


Tarkennettu haku

Selaa viitteitä

Omat tiedot

Tilastot