GaInNAs-materiaali tietoliikennelasereiden kehittämisessä
Näytä kaikki kuvailutiedot
Tiedostot
|
Tähän julkaisuun ei ole liitetty tiedostoja.
|
|
URN:
|
http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907105483
|
|
Nimeke:
|
GaInNAs-materiaali tietoliikennelasereiden kehittämisessä |
|
Tekijä:
|
Turpeinen, Jani |
|
Julkaisun tyyppi:
|
Diplomityö |
|
Julkaisuaika:
|
2000-12-13 |
|
Yliopisto:
|
Tampereen teknillinen korkeakoulu |
|
Tiedekunta:
|
Sähkötekniikan osasto |
|
Laitos:
|
Fysiikan laitos |
|
Tiivistelmä:
|
Tässä työssä on tutkittu uudenlaisen GaInNAs/GaAs-puolijohdemateriaalin ominaisuuksia. Tavoitteena on kehittää 1.3:n ja 1.55:n mikrometrin tietoliikennelasereita, joilla on nykyisiä tietoliikennelasereita paremmat lämpötilaominaisuudet. Tutkitut näytteet valmistettiin molekyylisuihkuepitaksialaitteistolla TTKK:n optoelektroniikan tutkimuskeskuksessa. Työssä valmistettiin myös laserdiodi, joka antoi lupaavia tuloksia GaInNAs-materiaalin ominaisuuksista. Lasereiden lämpökäyttäytymistä pystyttiin parantamaan huomattavasti, mutta niiden virta-ominaisuudet olivat hieman huonompia kuin vastaavien tavanomaisten tietoliikennelaserien ominaisuudet. /Kir10 |
Viite kuuluu kokoelmiin:
Näytä kaikki kuvailutiedot