|
Title:
|
GaInNAs-materiaali tietoliikennelasereiden kehittämisessä |
|
Author:
|
Turpeinen, Jani |
|
Abstract:
|
Tässä työssä on tutkittu uudenlaisen GaInNAs/GaAs-puolijohdemateriaalin ominaisuuksia. Tavoitteena on kehittää 1.3:n ja 1.55:n mikrometrin tietoliikennelasereita, joilla on nykyisiä tietoliikennelasereita paremmat lämpötilaominaisuudet. Tutkitut näytteet valmistettiin molekyylisuihkuepitaksialaitteistolla TTKK:n optoelektroniikan tutkimuskeskuksessa. Työssä valmistettiin myös laserdiodi, joka antoi lupaavia tuloksia GaInNAs-materiaalin ominaisuuksista. Lasereiden lämpökäyttäytymistä pystyttiin parantamaan huomattavasti, mutta niiden virta-ominaisuudet olivat hieman huonompia kuin vastaavien tavanomaisten tietoliikennelaserien ominaisuudet. /Kir10 |
|
Comment:
|
TTY:n kirjastossa laadittu tiivistelmä |
|
Issue date:
|
2000-12-13 |
|
URN:
|
http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907105483
|
|
Publication type:
|
Diplomityö |
|
Language:
|
fin |
|
Pages:
|
75 s. + liitt. 5 s |
|
Examiner:
|
Pessa, Markus |
|
University:
|
Tampereen teknillinen korkeakoulu |
|
Faculty:
|
Sähkötekniikan osasto |
|
Department:
|
Fysiikan laitos |
|
Degree Programme:
|
|