|
Abstract:
|
Työssä tutkittiin galliumnitridipuolijohteen valmistusta molekyylisuihkuepitaksialla (MBE). GaN-kalvot kasvatettiin plasmatyppilähdettä käyttäen safiirialustoille, joiden päällä oli GaN-kerros. Kasvatuksen aikana kalvon pintarakennetta tarkasteltiin suurienergisten elektronien diffraktiotekniikan (RHEED) avulla. Homoepitaksiaalisesti kasvatettujen galliumnitridikalvojen optisia ominaisuuksia karkaterisoitiin fotoluminesenssimittauksella (PL). Kalvojen kide- ja pintarakennetta tutkittiin röntgendiffraktiolla (XRD), läpivalaisuelektronimikroskoopilla (TEM) ja atomivoimanikroskoopilla (AFM). Epäpuhtauskonsentraatioiden karakterisointiin käytettiin sähkökemiallista kaoasitanssi-jännitemittausta (ECV), Hall-mittausta, sekundääri-ionimassaspektromeriaa (SIMS) ja positronimittausta. /Kir10 |