Galliumnitridikalvojen kasvatus molekyylisuihkuepitaksiamenetelmällä
Näytä kaikki kuvailutiedot
Tiedostot
|
Tähän julkaisuun ei ole liitetty tiedostoja.
|
|
URN:
|
http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907106307
|
|
Nimeke:
|
Galliumnitridikalvojen kasvatus molekyylisuihkuepitaksiamenetelmällä |
|
Tekijä:
|
Laukkanen, Pekka |
|
Julkaisun tyyppi:
|
Diplomityö |
|
Julkaisuaika:
|
2000-10-18 |
|
Yliopisto:
|
Tampereen teknillinen korkeakoulu |
|
Tiedekunta:
|
Sähkötekniikan osasto |
|
Laitos:
|
Fysiikan laitos |
|
Tiivistelmä:
|
Työssä tutkittiin galliumnitridipuolijohteen valmistusta molekyylisuihkuepitaksialla (MBE). GaN-kalvot kasvatettiin plasmatyppilähdettä käyttäen safiirialustoille, joiden päällä oli GaN-kerros. Kasvatuksen aikana kalvon pintarakennetta tarkasteltiin suurienergisten elektronien diffraktiotekniikan (RHEED) avulla. Homoepitaksiaalisesti kasvatettujen galliumnitridikalvojen optisia ominaisuuksia karkaterisoitiin fotoluminesenssimittauksella (PL). Kalvojen kide- ja pintarakennetta tutkittiin röntgendiffraktiolla (XRD), läpivalaisuelektronimikroskoopilla (TEM) ja atomivoimanikroskoopilla (AFM). Epäpuhtauskonsentraatioiden karakterisointiin käytettiin sähkökemiallista kaoasitanssi-jännitemittausta (ECV), Hall-mittausta, sekundääri-ionimassaspektromeriaa (SIMS) ja positronimittausta. /Kir10 |
Viite kuuluu kokoelmiin:
Näytä kaikki kuvailutiedot