|
Title:
|
Galliumnitridikalvojen kasvatus molekyylisuihkuepitaksiamenetelmällä |
|
Author:
|
Laukkanen, Pekka |
|
Abstract:
|
Työssä tutkittiin galliumnitridipuolijohteen valmistusta molekyylisuihkuepitaksialla (MBE). GaN-kalvot kasvatettiin plasmatyppilähdettä käyttäen safiirialustoille, joiden päällä oli GaN-kerros. Kasvatuksen aikana kalvon pintarakennetta tarkasteltiin suurienergisten elektronien diffraktiotekniikan (RHEED) avulla. Homoepitaksiaalisesti kasvatettujen galliumnitridikalvojen optisia ominaisuuksia karkaterisoitiin fotoluminesenssimittauksella (PL). Kalvojen kide- ja pintarakennetta tutkittiin röntgendiffraktiolla (XRD), läpivalaisuelektronimikroskoopilla (TEM) ja atomivoimanikroskoopilla (AFM). Epäpuhtauskonsentraatioiden karakterisointiin käytettiin sähkökemiallista kaoasitanssi-jännitemittausta (ECV), Hall-mittausta, sekundääri-ionimassaspektromeriaa (SIMS) ja positronimittausta. /Kir10 |
|
Comment:
|
TTY:n kirjastossa laadittu tiivistelmä |
|
Issue date:
|
2000-10-18 |
|
URN:
|
http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907106307
|
|
Publication type:
|
Diplomityö |
|
Language:
|
fin |
|
Pages:
|
69 s |
|
Examiner:
|
Pessa, Markus |
|
University:
|
Tampereen teknillinen korkeakoulu |
|
Faculty:
|
Sähkötekniikan osasto |
|
Department:
|
Fysiikan laitos |
|
Degree Programme:
|
|