|
Abstract:
|
Työ tehtiin osana Tekesin kansallista mikroelektroniikkaprojektia,jonka tarkoituksena on kehittää optisen tietoliikenteen komponentteihin soveltuvien puolijohdemateriaalien valmistusta ja saada aikaan käyttökelpoisia komponenttirakenteita, heterorakennelasereita ja valoilmaisimia. Koska indiumfosifidiin hilasovitetulla galliumindiumarsenidifosfidi-puolijohdemateriaalilla on sovellutuskohteita optisen tietoliikenteen komponenttien materiaalina, on mielenkiinto näitä neliyhdisteitä kohtaan viime vuosina entisestään kasvanut. Galliumindiumarsenidifosfidi-seospuolijohteen käyttökelpoisuus perustuu siihen, että materiaalin energia-aukkoa ja samalla sen säteilemän valon aallonpituutta voidaan säätää jatkuvasti muuttamalla alkuaineiden suhteita seoksessa ja pitää hilavakio kuitenkin indiumfosfidin hilavakion suuruisena. Tässä työssä kasvatettiin galliumindiumarsenidifosfidi-puolijohdeohutkalvoja hilasovitetusti indiumfosfidi kiteen päälle kolmella eri seossuhteella. Ohutkalvot kasvatettiin kaasulähteisellä MBE-menetelmällä. Kullekin seokselle etsittiin kasvatusolosuhteet, joissa voitiin kasvattaa hyvälaatuisia GaInAsP-kalvoja hilasovitetusti indiumfosfidin päälle. Kaksikideröntgendiffraktiomittausta käytettiin hilavakioiden mittaukseen ja ohutkalvojen laadun tarkkailuun. CV-mittauksella mitattiin varauksenkuljettajakonsentraatiota alustakiteen ja kalvon rajapinnan läheltä n-tyyppisestä galliumarsenidista ja n- ja p-tyyppisestä indiumfosfidista. Ennen kasvatuksen aloittamista tapahtuvan lämpökäsittelyn aikaisten olosuhteiden vaikutusta rajapinnan laatuun myös tutkittiin. /Kir10 |