| Files | Size | Format | View |
|---|---|---|---|
|
There are no files associated with this item. |
|||
| URN: | http://URN.fi/URN:NBN:fi:tty-200907101826 |
| Title: | Nopeiden resonanssi-ilmiöön perustuvien tietoliikenneledien kehitys |
| Author: | Vilokkinen, Ville |
| Publication type: | Diplomityö |
| Issue date: | 2000-06-07 |
| University: | Tampereen teknillinen korkeakoulu |
| Faculty: | Sähkötekniikan osasto |
| Department: | Fysiikan laitos |
| Abstract: | Tässä diplomityössä käsitellään ledien ja erityisesti resonanssikaviteettiledien toimintaperiaatteita ja ominaisuuksia. Edelleen teoriaosassa tarkastellaan perinteisten ledien suorituskykyyn liittyviä ongelmia ja esitetään joitakin ratkaisuja niihin. Kokeellinen osa koostuu punaista 650 nm aallonpituutta lähettävien resonanssikaviteettiledien valmistuksesta. Tässä osassa esitellään tarkempi kuvaus varsinaisten komponenttien prosessoinnista. Viimeinen osa sisältää mittaustuloksia valmistetuista komponenteista.Mittaustulokset osoittavat, että komponenttien ulkoiset kvanttihyötysuhteet ja modulointikaistanleveydet ovat korkeita. Nämä ominaisuudet ovat tärkeitä useiden sovellutusten kannalta. /Kir10 |